案例分析题

光照1Ω∙cm的n型硅样品，均匀产生非平衡载流子，电子-空穴对产生率为10¹⁷cm^-3∙s^-1。设样品的寿命为10us，表面符合速度为100cm/s。试计算：

单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。

一块电阻率为3Ωcm的n型硅样品，空穴寿命τp=5us，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（p）=1...

问答题一块电阻率为3Ω∙cm的n型硅样品，空穴寿命τ_p=5us，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（∆p）=10¹³cm^-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于10¹²cm^-3？

在电阻率为1Ωcm的p型硅半导体区域中，掺金浓度Nt=1015cm-3，由边界稳定注入的电子浓度（n）0=10...

问答题在电阻率为1Ω∙cm的p型硅半导体区域中，掺金浓度N_t=10¹⁵cm^-3，由边界稳定注入的电子浓度（∆n）₀=10¹⁰cm^-3，试求边界处电子扩散电流。

设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为1015cm-3，up=400cm2/（Vs）。试计算空穴扩散电流密度...

问答题设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为10¹⁵cm^-3，u_p=400cm₂/（V∙s）。试计算空穴扩散电流密度。