计算题 在电阻率为1Ω∙cm的p型硅半导体区域中，掺金浓度N_t=10¹⁵cm^-3，由边界稳定注入的电子浓度（∆n）₀=10¹⁰cm^-3，试求边界处电子扩散电流。

设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为1015cm-3，up=400cm2/（Vs）。试计算空穴扩散电流密度...

问答题设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为10¹⁵cm^-3，u_p=400cm₂/（V∙s）。试计算空穴扩散电流密度。

室温下，p型半导体中的电子寿命为τ=350us，电子的迁移率un=3600cm-2/（Vs）。试求电子的扩散长...

问答题室温下，p型半导体中的电子寿命为τ=350us，电子的迁移率u_n=3600cm^-2/（V∙s）。试求电子的扩散长度。

在掺杂浓度ND=1016cm-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，...

问答题在掺杂浓度N^D=10¹⁶cm^-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（E_t=E_i）。