热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。

硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有...

判断题硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。

扩散运动是各向同性的。

判断题扩散运动是各向同性的。

扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。

判断题扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。