多项选择题
A.沟道迁移率恒定近似B.耗尽近似C.强反型近似D.缓变沟道近似
MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）A.基区宽度调变效应B.阈...
多项选择题MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）
A.基区宽度调变效应B.阈电压的短沟道效应C.漏区静电场对沟道的反馈D.有效沟道调制效应
影响MOSFET阈值电压的因素有（）。A.衬底掺杂浓度B.沟道宽度C.栅氧化层厚度D.氧化层固定电荷
多项选择题影响MOSFET阈值电压的因素有（）。
A.衬底掺杂浓度B.沟道宽度C.栅氧化层厚度D.氧化层固定电荷
双极型晶体管的基区输运系数的表达式为（）。A.AB.BC.CD.D
双极型晶体管的基区输运系数的表达式为（）。
A.AB.BC.CD.D
