判断题
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制作MOS管时,一般先进行源的注入,再进行漏的注入。
判断题制作MOS管时,一般先进行源的注入,再进行漏的注入。
CMOS制作时,源、漏、栅等结构都做在场氧化区。
判断题CMOS制作时,源、漏、栅等结构都做在场氧化区。
LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。
判断题LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。