体心立方的晶体堆砌密度要高于面心立方。

‌CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。

判断题‌CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。

区熔法可以生长熔点极高的晶体。‌

判断题区熔法可以生长熔点极高的晶体。‌

‏液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。

判断题‏液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。