填空题
指针
DRAM 比SRAM 的读写速度慢的原因是因为:为了保持数据,需要定时地()。
填空题DRAM 比SRAM 的读写速度慢的原因是因为:为了保持数据,需要定时地()。
按照总线所处的位置分为片内总线和片外总线,片外总线是指用于连接CPU、内存以及I/O设备的总线。因此,片外总线...
填空题按照总线所处的位置分为片内总线和片外总线,片外总线是指用于连接CPU、内存以及I/O设备的总线。因此,片外总线又称为()总线。
存储器按存储介质分类,可分为磁表面和()存储器。
填空题存储器按存储介质分类,可分为磁表面和()存储器。