问答题
薄膜中的应力按成因划分有本征应力和非本征应力。本征应力一般来源于薄膜淀积工艺本身是非平衡过程；非本征应力是由薄膜结构之外......
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比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小？解释不同的原因。
问答题比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小？解释不同的原因。
SiO2作为保护膜时为什么需要采用低温工艺？目前低温SiO2工艺有哪些方法？它们降低制备温度的原理是什么？
问答题SiO2作为保护膜时为什么需要采用低温工艺？目前低温SiO2工艺有哪些方法？它们降低制备温度的原理是什么？
薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在K...
问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？
