多项选择题
A.产量低B.可淀积Si3N4等C.台阶覆盖好D.反应控制
APCVD系统的缺点有()。A.均匀性差B.易发生气相反应C.台阶覆盖D.高温工艺
多项选择题APCVD系统的缺点有()。
A.均匀性差B.易发生气相反应C.台阶覆盖D.高温工艺
下列关于LPCVD的描述正确的有()。A.扩散控制B.严格控制温度C.反应控制D.低温淀积工艺
多项选择题下列关于LPCVD的描述正确的有()。
A.扩散控制B.严格控制温度C.反应控制D.低温淀积工艺
影响淀积速率的因素有()。A.降低δsB.增加UmC.减小基座长度LD.增加温度
多项选择题影响淀积速率的因素有()。
A.降低δsB.增加UmC.减小基座长度LD.增加温度