多项选择题
A.固结磨料CMP技术B.无磨粒CMP技术C.无应力抛光技术D.电化学机械平坦化技术
光刻工艺对准误差包括（）。A.上下偏移B.X或Y方向的平移C.转动D.套准误差
多项选择题光刻工艺对准误差包括（）。
A.上下偏移B.X或Y方向的平移C.转动D.套准误差
光刻工艺的特点包括（）。A.决定特征尺寸的关键工艺B.光刻与芯片的价格和性能密切相关C.光刻工艺过程复杂D.复...
多项选择题光刻工艺的特点包括（）。
A.决定特征尺寸的关键工艺B.光刻与芯片的价格和性能密切相关C.光刻工艺过程复杂D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术
光刻工艺的设备核心是（）。A.掩膜版B.对准和曝光C.光刻机D.光刻胶
单项选择题光刻工艺的设备核心是（）。
A.掩膜版B.对准和曝光C.光刻机D.光刻胶
