光刻工艺的设备核心是（）。

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。A.碱溶液清洗B.有机溶液清洗C.HF结尾的清洗工艺D.去离子水冲洗

单项选择题进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。A.光刻胶B.Si衬底C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物D.刻蚀溶液

多项选择题刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

掺杂后，退火的目的是（）。A.实现电激活B.修复损伤C.提高掺杂均匀性D.加大损伤

多项选择题掺杂后，退火的目的是（）。