半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。

‌对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。A.无法判断B.向负偏压方向平...

单项选择题‌对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。

MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。A.相同、减小...

单项选择题MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。

设在金属与n型半导体之间加一电压，且n-Si接高电位，金属接低电位，使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势Vs...

单项选择题设在金属与n型半导体之间加一电压，且n-Si接高电位，金属接低电位，使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势V_s=0.4V；外加电压为5V，施主浓度N_D=10¹⁶cm^-3，则耗尽层厚度约为（）。