单项选择题
A.禁带变宽 B.少子迁移率增大 C.多子浓度减小 D.简并化
在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导...
问答题在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？
简并半导体是指（）的半导体。A、（EC-EF.或（EF-EV）≤0B、（EC-EF.或（EF-EV）≥0C、能...
单项选择题简并半导体是指（）的半导体。
A、（EC-EF.或（EF-EV）≤0 B、（EC-EF.或（EF-EV）≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）A、【100】B、【111】C...
单项选择题为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）
A、【100】 B、【111】 C、【110】 D、【111】或【110】
