案例分析题室温下，施主浓度为1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。 判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。

试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图，并标明半导体表面势VS的数值。

问答题试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图，并标明半导体表面势V_S的数值。

计算硅Si的功函数。

问答题计算硅Si的功函数。

室温下，n型硅样品中，掺杂浓度ND=1016cm-3。光均匀照射Si样品上，电子-空穴对的产生率为1.25×1...

问答题

室温下，n型硅样品中，掺杂浓度N_D=10¹⁶cm^-3。光均匀照射Si样品上，电子-空穴对的产生率为1.25×10²⁰cm^-3s^-1，样品寿命为8μs。计算无光照和有光照的电导率。其中，已知q=1.6×10^-19C