案例分析题室温下，施主浓度为1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。 计算硅Si的功函数。

室温下，n型硅样品中，掺杂浓度ND=1016cm-3。光均匀照射Si样品上，电子-空穴对的产生率为1.25×1...

问答题

室温下，n型硅样品中，掺杂浓度N_D=10¹⁶cm^-3。光均匀照射Si样品上，电子-空穴对的产生率为1.25×10²⁰cm^-3s^-1，样品寿命为8μs。计算无光照和有光照的电导率。其中，已知q=1.6×10^-19C

试计算问题（2）中杂质半导体的电阻率与本征硅的电阻率的比值。

问答题试计算问题（2）中杂质半导体的电阻率与本征硅的电阻率的比值。

画出问题（2）中杂质半导体的能带图，并确定费米能级相对于EC的位置

问答题画出问题（2）中杂质半导体的能带图，并确定费米能级相对于E_C的位置