对于LPCVD Si₃N₄工艺，NH₃/DCS比例越小颗粒改善越明显。（）

在LPCVD Si3N4制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）

判断题在LPCVD Si₃N₄制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）

Si3N4可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）

判断题Si₃N₄可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）

在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。（）

判断题在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。（）