案例分析题在下述条件下，是否有载流子的净复合或者净产生 在载流子完全耗尽（即n，p都大大小于ni）半导体区域。

一块n型硅内掺有1016cm-3的金原子，试求它在小注入时的寿命。若一块p型硅内也掺有1016cm-3的金原子...

问答题

一块n型硅内掺有10¹⁶cm^-3的金原子，试求它在小注入时的寿命。若一块p型硅内也掺有10¹⁶cm^-3的金原子，它在小注入时的寿命又是多少？

把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命τ=τn+τp。

问答题把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命τ=τn+τp。

在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程具...

问答题在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程具有相同的概率。试求这种复合-产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？