刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A.光刻胶B.衬底C.表面硅层D.扩散区E.源漏...

多项选择题通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A.刻蚀速率B.刻蚀深度C.移除速率D.刻蚀时间

单项选择题（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。A.离...

单项选择题电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。