通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A.刻蚀速率B.刻蚀深度C.移除速率D.刻蚀时间

单项选择题（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。A.离...

单项选择题电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还...

单项选择题由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。