单项选择题
A.原始粒度不均匀 B.烧成温度偏高 C.烧成温度偏低 D.烧结速度太快
防止二次再结晶最好的方法是（）A.控制烧结速率B.控制粒晶C.加适当的添加剂D.改变温度
单项选择题防止二次再结晶最好的方法是（）
A.控制烧结速率B.控制粒晶C.加适当的添加剂D.改变温度
二次再结晶的推动力是（）A.大晶粒界面与邻近低表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能B.大晶粒界面与邻近高...
单项选择题二次再结晶的推动力是（）
A.大晶粒界面与邻近低表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能B.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能C.大晶粒界面与邻近低表面能和大曲率半径的晶面相比有效高的表面能D.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效高的表面能
晶粒生长与二次再结晶过程不会在烧结的哪个过程进行？（）A.初期B.中期C.后期
单项选择题晶粒生长与二次再结晶过程不会在烧结的哪个过程进行？（）
A.初期 B.中期 C.后期
