多项选择题
A.氮化硅用常压CVD工艺B.氧化层用CVD工艺C.氮化硅用低压CVD工艺D.氧化层用热氧化工艺
1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。A.浅槽隔离工艺B.铝栅工艺C.多晶硅栅工艺D.硅外延片衬底
多项选择题1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。
A.浅槽隔离工艺B.铝栅工艺C.多晶硅栅工艺D.硅外延片衬底
Stepper的优点有（）。A.光刻版的精度和良率高B.可分步重复曝光C.减小了尘埃的影响D.套刻精度高
多项选择题Stepper的优点有（）。
A.光刻版的精度和良率高B.可分步重复曝光C.减小了尘埃的影响D.套刻精度高
对非光学曝光表述正确的是（）。A.X-射线是非光学曝光B.电子束是非光学曝光C.非光学曝光都不需要光刻版D....
多项选择题对非光学曝光表述正确的是（）。
A.X-射线是非光学曝光B.电子束是非光学曝光C.非光学曝光都不需要光刻版D.EUV是非光学曝光
