多项选择题
A.X-射线是非光学曝光B.电子束是非光学曝光C.非光学曝光都不需要光刻版D.EUV是非光学曝光
对移相掩膜（PSM）表述正确的是（）。A.使光通过后产生180度相位差B.提高分辨率C.消除了图形边缘的衍射
多项选择题对移相掩膜（PSM）表述正确的是（）。
A.使光通过后产生180度相位差B.提高分辨率C.消除了图形边缘的衍射
对正性光刻胶特性表述正确的是（）。A.分辨率高B.显影时曝光部分不溶解，未曝光部分溶解C.分辨率低D.显影时曝...
多项选择题对正性光刻胶特性表述正确的是（）。
A.分辨率高B.显影时曝光部分不溶解，未曝光部分溶解C.分辨率低D.显影时曝光部分溶解，未曝光部分不溶解
提高光刻分辨率的途径有（）。A.增大数值孔径NAB.增大曝光波长C.减小曝光波长D.减小数值孔径NA
多项选择题提高光刻分辨率的途径有（）。
A.增大数值孔径NAB.增大曝光波长C.减小曝光波长D.减小数值孔径NA
