单项选择题
A.221℃B.323℃C.370℃D.390℃
芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）A.280℃B.220℃C.320℃D.350℃
单项选择题芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）
A.280℃B.220℃C.320℃D.350℃
芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金，共熔点是为（）A.320℃B.356℃C.380℃D.280℃
单项选择题芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金，共熔点是为（）
A.320℃B.356℃C.380℃D.280℃
集成电路的组装顺序是（）A.中测→划片→粘片→键合→封装B.划片→中测→键合→封装→检漏C.划片→键合→中测→...
单项选择题集成电路的组装顺序是（）
A.中测→划片→粘片→键合→封装B.划片→中测→键合→封装→检漏C.划片→键合→中测→粘片→封装D.中测→划片→组装→封装→键合
