计算题 一块电阻率为3Ω·cm的N-Si样品，空穴的寿命为τ_p=5μs，在其平面型的表面处有稳定的空穴注入，过甚空穴浓度为Δp（0）=10¹⁴cm^-3，计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度。在离表面多远处过剩空穴浓度衰减到10¹²cm^-3。

示意画出P型半导体在光照（小注入）前后的能带图，并标出原来的费米能级和光照下的准费米能级。

问答题示意画出P型半导体在光照（小注入）前后的能带图，并标出原来的费米能级和光照下的准费米能级。

施主浓度ND=1016cm-3的N-Si中，光注入非平衡载流子浓度Δn=Δp=1014cm-3，计算无光照和有...

问答题

施主浓度N_D=10¹⁶cm^-3的N-Si中，光注入非平衡载流子浓度Δn=Δp=10¹⁴cm^-3，计算无光照和有光照时的电导率。已知

某半导体材料的少子寿命τ=20μs，光照产生了非平衡载流子，试求光照突然停止10μs后，非平衡载流子将衰减到原...

问答题某半导体材料的少子寿命τ=20μs，光照产生了非平衡载流子，试求光照突然停止10μs后，非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？