问答题
PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS 沟道载流子特性、栅极材料、金属层数、特征尺寸工艺可以实现的平面结构的最小尺寸
与Si三极管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺点？
问答题与Si三极管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺点？
HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？
问答题HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？
由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？
问答题由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？
