多项选择题
A.设备简单B.效率高C.成本低D.杂质纯度高
抑制通道效应的方法有（）A.破坏表面硅原子的排列（预先浅注入）B.将晶圆倾斜一定的角度C.表面铺一层非结晶材质...
多项选择题抑制通道效应的方法有（）
A.破坏表面硅原子的排列（预先浅注入）B.将晶圆倾斜一定的角度C.表面铺一层非结晶材质SiO2D.进行快速热退火
离子注入过程中，常用的退火方法有（）A.高温退火B.快速热退火C.氧化退火D.电阻丝退火
多项选择题离子注入过程中，常用的退火方法有（）
A.高温退火B.快速热退火C.氧化退火D.电阻丝退火
属于氧化层表面缺陷的是（）A.白雾B.针孔C.斑点D.层错
多项选择题属于氧化层表面缺陷的是（）
A.白雾B.针孔C.斑点D.层错
