表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。

（）的方法有利于减少热预算。A.高压氧化B.湿氧氧化C.掺氯氧化D.氢氧合成氧化E.等离子增强氧化

多项选择题（）的方法有利于减少热预算。

当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。A.温度B.硅-二氧化硅界面处的化学反应C.氧的扩散速率D....

单项选择题当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。A.t2成正比B.t2成反比C.t成正比D.t成反比

单项选择题当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。