硅二极管的门坎电压（又叫死区电压）为（）伏。

单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。

问答题单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。

单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。

问答题单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。

一块电阻率为3Ωcm的n型硅样品，空穴寿命τp=5us，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（p）=1...

问答题一块电阻率为3Ω∙cm的n型硅样品，空穴寿命τ_p=5us，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（∆p）=10¹³cm^-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于10¹²cm^-3？