多项选择题
A.硫酸B.氢氟酸C.双氧水D.去离子水
回态源扩散的杂质源有（）A.硼酸三甲酯B.氮化硼C.硼D.磷微晶玻璃片
多项选择题回态源扩散的杂质源有（）
A.硼酸三甲酯B.氮化硼C.硼D.磷微晶玻璃片
在离子注入完成后，检验到硅片表面有颗粒污染严重的情况，该情况引起的主要问题有（）A.在局部阻挡掺杂B.对器件结...
多项选择题在离子注入完成后，检验到硅片表面有颗粒污染严重的情况，该情况引起的主要问题有（）
A.在局部阻挡掺杂B.对器件结构造成连接或短路C.对微小器件结构造成沟型损伤D.整片硅片报废
分结深是重要的结构参数，在检验时发现超浅结注入时，判断其造成原因有（）A.快速热退火及升温速度和保持时间是否准...
多项选择题分结深是重要的结构参数，在检验时发现超浅结注入时，判断其造成原因有（）
A.快速热退火及升温速度和保持时间是否准确B.检查是否有沟道效应C.检查注入能量系统D.检查注入速度和时间是否准确
