多项选择题
A.在局部阻挡掺杂B.对器件结构造成连接或短路C.对微小器件结构造成沟型损伤D.整片硅片报废
分结深是重要的结构参数，在检验时发现超浅结注入时，判断其造成原因有（）A.快速热退火及升温速度和保持时间是否准...
多项选择题分结深是重要的结构参数，在检验时发现超浅结注入时，判断其造成原因有（）
A.快速热退火及升温速度和保持时间是否准确B.检查是否有沟道效应C.检查注入能量系统D.检查注入速度和时间是否准确
以下是离子注入过程中的主要参数的是（）A.剂量与束流密度B.射程与注入能量C.注入角度D.晶圆
多项选择题以下是离子注入过程中的主要参数的是（）
A.剂量与束流密度B.射程与注入能量C.注入角度D.晶圆
下列可能造成离子源沾污的因素是（）A.离子源是否被沾污B.真空系统是否漏气C.原材料是否满足纯度要求D.光刻胶...
多项选择题下列可能造成离子源沾污的因素是（）
A.离子源是否被沾污B.真空系统是否漏气C.原材料是否满足纯度要求D.光刻胶的碱性元素沾污
