在显影过程中，对于正性抗蚀剂，显影液的使用要求是（）。

当需要刻蚀的图形尺寸大于3um时，一般使用（）。A.湿法刻蚀B.溅射刻蚀C.等离子体刻蚀D.反应离子刻蚀

单项选择题当需要刻蚀的图形尺寸大于3um时，一般使用（）。

兼具有各向异性刻蚀的优点，又有可接受的选择比的刻蚀方法是（）。A.湿法刻蚀B.溅射刻蚀C.等离子体刻蚀D.反应...

单项选择题兼具有各向异性刻蚀的优点，又有可接受的选择比的刻蚀方法是（）。

假设光刻胶的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度为4000块，如果要求经过30秒的刻蚀后，厚度变为1400埃，那么...

单项选择题假设光刻胶的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度为4000块，如果要求经过30秒的刻蚀后，厚度变为1400埃，那么这个过程中刻蚀速率是（）埃/分钟。