单项选择题
A.5200B.1200C.9200D.8000
通过分析刻蚀前后刻蚀腔内的成分来判断是否达到终点的终点检测方法是()A.发射光谱法B.干涉测量法C.质谱分析法...
单项选择题通过分析刻蚀前后刻蚀腔内的成分来判断是否达到终点的终点检测方法是()
A.发射光谱法B.干涉测量法C.质谱分析法D.椭圆偏振发
刻蚀氮化硅薄膜时,可以用加热的磷酸进行刻蚀,此时的温度一般设置在()A.70~100℃B.130~150℃C....
单项选择题刻蚀氮化硅薄膜时,可以用加热的磷酸进行刻蚀,此时的温度一般设置在()
A.70~100℃B.130~150℃C.150~170℃D.170~200℃
一般情况下,刻蚀完成后需要进行的操作是()A.曝光B.涂胶C.去胶D.显影
单项选择题一般情况下,刻蚀完成后需要进行的操作是()
A.曝光B.涂胶C.去胶D.显影