多项选择题
A.D-A对吸收B.自由载流子吸收C.谷间跃迁吸收D.激子吸收
半导体中的光吸收，根据能带结构的特征，可以分为以下哪几类？（）A.局部能级间的吸收B.带内吸收C.能带与局部能...
多项选择题半导体中的光吸收，根据能带结构的特征，可以分为以下哪几类？（）
A.局部能级间的吸收B.带内吸收C.能带与局部能级间的吸收D.带间吸收
关于量子阱与二维电子气，以下说法正确的是（）A.n+AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处G...
多项选择题关于量子阱与二维电子气，以下说法正确的是（）
A.n+AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限，而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的C.把量子阱中的电子称为二维电子气D.能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场为量子阱
关于pn结的注入特性，以下说法正确的是（）A.异质pn 结的高注入特性是区别同质pn 结的主要特点之一B.同质...
多项选择题关于pn结的注入特性，以下说法正确的是（）
A.异质pn 结的高注入特性是区别同质pn 结的主要特点之一B.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比C.决定异质pn结注入比的是ΔEg，通常可获得较大的注入比D.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求ND>>NA
