n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

判断题MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

判断题栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

判断题MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。