扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。

制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。

判断题制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO₂作为保护层。

通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）A.干氧B.干氧-湿氧-干氧C.掺氯氧化D.低压氧化

单项选择题通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）

在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延...

多项选择题在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）