多项选择题
A.CF4 B.BCl3 C.Cl2 D.F2 E.CHF3
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残...
单项选择题为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
A.多晶硅 B.单晶硅 C.铝硅铜合金 D.铜
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A.等离子体刻蚀B.反应离子...
单项选择题铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
A.等离子体刻蚀 B.反应离子刻蚀 C.湿法刻蚀 D.溅射刻蚀
溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。A.鸟嘴B.空洞C.裂痕D.位错
单项选择题溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。
A.鸟嘴 B.空洞 C.裂痕 D.位错
