接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。

LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。

判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。

与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。

判断题与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。

APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。

判断题APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。