单项选择题
A.增大B.不变C.减小D.无关
欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。A.UGS＞UGS，offB.UGS＞UGS，thC.UGS...
单项选择题欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。
A.UGS＞UGS，offB.UGS＞UGS，thC.UGS＜UGS，offD.UGS＜UGS，th
掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，...
单项选择题掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，使（）激增。
A.多子B.反向电流C.载流子D.反向电压
当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离使反向电流激增，形成连锁反应，...
单项选择题当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离使反向电流激增，形成连锁反应，属于（）击穿。
A.多子B.热击穿C.齐纳D.雪崩
