单项选择题
A.窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区B.宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区C.窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区D.宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区
为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机...
单项选择题为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（）而齐纳击穿具有与之相反的特性。
A.可逆B.正温度系数C.负温度系数D.不可逆
对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷。A.N型中性区B.P型势垒区C.N型势垒区...
单项选择题对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷。
A.N型中性区B.P型势垒区C.N型势垒区D.P型中性区
理想PN结的电流是（）。A.多子漂移电流B.少子扩散电流C.多子扩散电流D.复合-产生电流
单项选择题理想PN结的电流是（）。
A.多子漂移电流B.少子扩散电流C.多子扩散电流D.复合-产生电流
