单项选择题
A.杂质在二氧化硅中的扩散系数远小于其在硅中的扩散系数B.杂质在二氧化硅中的扩散系数等于其在硅中的扩散系数C.杂质硅中的扩散系数远小于其在二氧化硅中的扩散系数D.杂质在二氧化硅中不扩散
集成电路制造工艺中，制备二氧化硅的方法有（）A.化学汽相沉积B.原子层沉积C.热氧化D.以上都是
单项选择题集成电路制造工艺中，制备二氧化硅的方法有（）
A.化学汽相沉积B.原子层沉积C.热氧化D.以上都是
硅氧四面体由（）组成。A.四个氧和一个硅B.两个氧和两个硅C.四个硅和一个氧D.三个氧和一个硅
单项选择题硅氧四面体由（）组成。
A.四个氧和一个硅B.两个氧和两个硅C.四个硅和一个氧D.三个氧和一个硅
超高真空的简称是（）A.SHVB.HHVC.UHVD.HLV
单项选择题超高真空的简称是（）
A.SHVB.HHVC.UHVD.HLV
