问答题
掺施主杂质ND=1016cm-3硅样品,少子寿命τp=10μs,在均匀光的照射下产生非平衡载流子,其产生率g=...
掺施主杂质ND=1016cm-3硅样品,少子寿命τp=10μs,在均匀光的照射下产生非平衡载流子,其产生率g=1019/cm3·s,设本征载流子浓度ni=1013cm-3。 1)分别计算无光照和有光照时的电导率。 2)试计算室温时无光照情况下的费米能级; 3)试计算室温时有光照情况下的费米能级; 4)请图示比较两种情况下的费米能级的不同。
已知锗原子的浓度为4.4×1022/cm3。 1)温度为300K时,本征锗的电阻率为47Ω·cm,μn=390...
已知锗原子的浓度为4.4×1022/cm3。 1)温度为300K时,本征锗的电阻率为47Ω·cm,μn=3900cm2/V·s,μp=1900cm2/V·s。试求本征载流子浓度。 2)若掺入锑杂质,使每个锗原子中有一个杂质原子,计算300K时电子浓度和空穴浓度。 3)若假设杂质全部电离,试求该掺杂锗样品的电阻率。 4)若流过该样品的电流密度为100mA/cm2,求所加的电场强度。
简述霍尔效应及应用。
问答题简述霍尔效应及应用。