判断题
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PVD沉积温度一般低于600℃,但沉积速度快。
判断题PVD沉积温度一般低于600℃,但沉积速度快。
CVD沉积温度高,而且沉积后要进行淬、回火处理,使得工件的变形增大。
判断题CVD沉积温度高,而且沉积后要进行淬、回火处理,使得工件的变形增大。
利用CVD法沉积TiN的最佳温度范围是900~1200℃。
判断题利用CVD法沉积TiN的最佳温度范围是900~1200℃。