多项选择题
A.将成核率I＝1cm-1S-1对应的饱和比（或过冷度）称为临界饱和比。B.随饱和比增加，在接近临界饱和比之前，成核率大体上保持为零C.达到临界饱和比时，小晶体会以不连续的方式突然出现D.临界饱和比现象是由于成核率与驱动力之间满足指数规律的缘故
界面压力的大小决定于（）A.温度B.界面能C.界面曲率半径D.化学势
单项选择题界面压力的大小决定于（）
A.温度B.界面能C.界面曲率半径D.化学势
晶体生长大致可以分为晶核的（）两个阶段。A.形成B.孵化C.生长D.团聚
多项选择题晶体生长大致可以分为晶核的（）两个阶段。
A.形成B.孵化C.生长D.团聚
降温法生长关键控制技术包括（）等。A.精确控制降温速率B.合理的供热方式和搅拌程序C.轻放轻取不引入应力D.选...
多项选择题降温法生长关键控制技术包括（）等。
A.精确控制降温速率B.合理的供热方式和搅拌程序C.轻放轻取不引入应力D.选择合理的生长速率
