单项选择题
A.产生电流B.漂移电流C.扩散电流D.复合电流
迁移率的典型单位是（）。A.cm3/sB.cm2/VC.cm3/V·sD.cm2/V·s
单项选择题迁移率的典型单位是（）。
A.cm3/sB.cm2/VC.cm3/V·sD.cm2/V·s
关于NMOSFET发生GIDL现象时，描述错误的是（）。A.电子流向漏极B.空穴流向源极C.现象区处于强反型状...
单项选择题关于NMOSFET发生GIDL现象时，描述错误的是（）。
A.电子流向漏极B.空穴流向源极C.现象区处于强反型状态D.p+区价带中的电子隧穿至n+区的导带内
在恒定电场缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则门延迟为原器件的（）倍。A.1/k3B....
单项选择题在恒定电场缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则门延迟为原器件的（）倍。
A.1/k3B.1/kC.1D.1/k2
