单项选择题
A.电子流向漏极B.空穴流向源极C.现象区处于强反型状态D.p+区价带中的电子隧穿至n+区的导带内
在恒定电场缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则门延迟为原器件的（）倍。A.1/k3B....
单项选择题在恒定电场缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则门延迟为原器件的（）倍。
A.1/k3B.1/kC.1D.1/k2
当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5V，则恰好能使该MOS管开启的栅...
单项选择题当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5V，则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是（）。
A.1.5VB.0.5VC.1VD.1.8V
在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅，其原因是（）。A.p+多晶硅栅具有较大功函数B.p...
单项选择题在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅，其原因是（）。
A.p+多晶硅栅具有较大功函数B.p+多晶硅栅具有更低电阻率C.p+多晶硅栅可以做成埋沟器件D.p+多晶硅栅适合自对准工艺
