单项选择题
A.负，正B.正，负C.正，正D.负，负
对于NMOS和PMOS管完全对称的CMOS反相器，当输出端从高电平翻转到低电平的过程中，论述正确的是（）。A...
单项选择题对于NMOS和PMOS管完全对称的CMOS反相器，当输出端从高电平翻转到低电平的过程中，论述正确的是（）。
A.翻转时，从电源到地端的回路总等效电阻最大B.负载管从线性区直接过渡到截止区C.翻转时，两个管子都处于饱和区D.工作管从截止区直接过渡到线性区
关于MOSFET模型论述错误的是（）。A.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了VDSatB.体电荷模型中，衬...
单项选择题关于MOSFET模型论述错误的是（）。
A.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了VDSatB.体电荷模型中，衬底掺杂浓度越高，其预测的IDS与平方律简单模型相比误差越低C.体电荷模型中，无统一的VTD.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了漏源电流IDS
不会引起MOSFET衬底电流的效应是（）。A.漏结雪崩击穿B.漏源穿通C.GIDLD.沟道雪崩击穿
单项选择题不会引起MOSFET衬底电流的效应是（）。
A.漏结雪崩击穿B.漏源穿通C.GIDLD.沟道雪崩击穿
