单项选择题
A.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了VDSatB.体电荷模型中，衬底掺杂浓度越高，其预测的IDS与平方律简单模型相比误差越低C.体电荷模型中，无统一的VTD.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了漏源电流IDS
不会引起MOSFET衬底电流的效应是（）。A.漏结雪崩击穿B.漏源穿通C.GIDLD.沟道雪崩击穿
单项选择题不会引起MOSFET衬底电流的效应是（）。
A.漏结雪崩击穿B.漏源穿通C.GIDLD.沟道雪崩击穿
在理想MIS结构（n型半导体）开启电压VT的计算中，没有考虑强反型少子（即空穴）电荷的原因是（）。A.反型空穴...
单项选择题在理想MIS结构（n型半导体）开启电压VT的计算中，没有考虑强反型少子（即空穴）电荷的原因是（）。
A.反型空穴的浓度低于NdB.反型空穴与电子正好是电中性的C.反型空穴总数太少
双极型晶体管中开关时间常数最大的通常是（）。A.开启延迟时间B.下降时间C.储存时间D.上升时间
单项选择题双极型晶体管中开关时间常数最大的通常是（）。
A.开启延迟时间B.下降时间C.储存时间D.上升时间
