单项选择题
A.增加源漏结深B.减小衬底掺杂浓度C.减小氧化层厚度D.减小沟道长度
MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。A.漏源电阻，栅源电阻B.跨导，漏源电导C...
单项选择题MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。
A.漏源电阻，栅源电阻B.跨导，漏源电导C.漏源电导，跨导D.漏源电阻，跨导
当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。A.减小B.不变C.不确定D.增大
单项选择题当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。
A.减小B.不变C.不确定D.增大
以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通？（）A.增加栅氧化层厚度B.增加沟道宽度C.减小沟道长度D.增加...
单项选择题以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通？（）
A.增加栅氧化层厚度B.增加沟道宽度C.减小沟道长度D.增加衬底掺杂浓度
