干法刻蚀适用于（）（粗/细）线条。

化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上...

单项选择题

化学气相淀积SiO₂与热生长SiO₂相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 
1.热生长SiO₂只能在Si衬底上生长；
2.CVD SiO₂可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上；
3.CVD SiO₂，衬底硅不参加反应；
4.CVD SiO₂，温度低。

有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。

填空题有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。

杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。

填空题杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。