氧化铝（Al₂O₃）的介电常数一般低于氮化硅（Si₃N₄）的介电常数。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

判断题MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

判断题半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

判断题绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。